上海保迪电子有限公司

 

由于IGBT等功率器件的特性（开通关断损耗较大），高频逆变焊机加热设备的效率、容量和成本都受到制约。随着基本半导体B2M第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件技术的不断成熟，其性能特点特别适合大功率高频逆变焊机，通过对IGBT和基本半导体B2M第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件的参数对比分析，采用基本半导体B2M第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件对现有系列高频逆变焊机的主电路进行优化，开发出适合于高频逆变焊机的基本半导体B2M第二代SiC碳化硅MOSFET的驱动电路和功率单元，采用基本半导体B2M第二代SiC碳化硅MOSFET的高频感应焊机的性能和焊接效率均优于使用IGBT的老设备。

 

逆变焊机高频谐振软开关电路等应用实现ZVS主要和Coss、关断速度和体二极管压降等参数有关。Coss决定所需谐振电感储能的大小，值越大越难实现ZVS；更快的关断速度可以减少对储能电感能量的消耗，影响体二极管的续流维持时间或者开关两端电压能达到的最低值；因为续流期间的主要损耗为体二极管的导通损耗.在这些参数方面，B2M第二代碳化硅MOSFET跟竞品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小，需要的死区时间初始电流小；B2M第二代碳化硅MOSFET抗侧向电流触发寄生BJT的能力会强一些。B2M第二代碳化硅MOSFET体二极管的Vf和trr 比竞品有较多优势，能减少LLC里面Q2的硬关断的风险。综合来看，比起竞品，高频谐振软开关电路应用中B2M第二代碳化硅MOSFET表现会更好.

  

碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。适用于高性能变换器电路与数字化先进控制、高效率 DC/DC 拓扑与控制，双向 AC/DC、电动汽车车载充电机（OBC）/双向OBC、车载电源、集成化 OBC ，双向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓扑与控制，直流配网的电力电子变换器。

 

基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上，基本半导体还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件，以更好地满足客户需求。

 

基本半导体第二代碳化硅MOSFET亮点

更低比导通电阻：第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。

 

更低器件开关损耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。

 

更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。

 

更高工作结温：第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。